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| 18 | 磁気トンネル接合素子、直径3.8nmで動作確認 | ----------- | |
| EE Times Japan 最新記事一覧 | 2018-02-19 12:20 | ????0? | |
| 東北大学電気通信研究所の大野英男教授や深見俊輔准教授、佐藤英夫准教授、陣内佛霖助教、渡部杏太博士後期課程学生らによる研究グループは2018年2月、不揮発性磁気メモリSTT-MRAM（スピン移行トルク−磁気抵抗RAM）の大容量化を可能とする磁気トンネル接合素子をシリコン基板上に作製した素子でも電流によって高抵抗状態と低抵抗状態が切り換わり、電流誘起磁化反転が行われていることを確認した。 -- ???????? | |||
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